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DMN2170U
10
8
6
4
2
0
0.5
1,000
f = 1MHz
0.4
0.3
V GS = 1.5V
C iss
100
0.2
C oss
0.1
V GS = 2.5V
V GS = 4.5V
C rss
0
0
1
2 3 4 5 6
I D , DRAIN-SOURCE CURRENT
Fig. 3 On-Resistance vs.
7
10
0
5 10 15
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 4 Typical Total Capacitance
20
Drain-Source Current & Gate Voltage
1
1.8
0.8
I D = 250μA
1.6
V GS = 2.5V
I D = 2.3A
0.6
1.4
V GS = 4.5V
I D = 3A
1.2
V GS = 1.5V
0.4
0.2
0
1.0
0.8
0.6
I D = 0.5A
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
-55
25 85 125 150
T A , AMBIENT TEMPERATURE (C)
Fig. 5 Gate Threshold Variation with Ambient Temperature
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 6 Normalized Static Drain-Source On-Resistance
vs. Ambient Temperature
DMN2170U
Document number: DS31182 Rev. 4 - 2
2 of 4
www.diodes.com
June 2008
? Diodes Incorporated
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